BBO krystall

BBO er en ny ultrafiolett frekvensdoblingskrystall.Det er en negativ enakset krystall, med ordinær brytningsindeks (nei) større enn ekstraordinær brytningsindeks (ne).Både type I og type II fasetilpasning kan nås ved vinkelinnstilling.


  • Krystallstruktur:Trigonal,Space Group R3c
  • Gitterparameter:a=b=12,532Å, c=12,717Å,Z=6
  • Smeltepunkt:Ca 1095 ℃
  • Mohs hardhet: 4
  • Tetthet:3,85 g/cm3
  • Termiske ekspansjonskoeffisienter:a11=4 x 10-6/K;α33=36x 10-6/K
  • Produkt detalj

    tekniske parametere

    Video

    Lagerliste

    BBO er en ny doblingskrystall med ultrafiolett frekvens. Det er en negativ enakset krystall, med ordinær brytningsindeks (nei) større enn ekstraordinær brytningsindeks (ne).Både type I og type II fasetilpasning kan nås ved vinkelinnstilling.
    BBO er en effektiv NLO-krystall for den andre, tredje og fjerde harmoniske generasjonen av Nd:YAG-lasere, og den beste NLO-krystallen for den femte harmoniske generasjonen ved 213nm.Konverteringseffektiviteter på mer enn 70 % for SHG, 60 % for THG og 50 % for 4HG og 200 mW utgang ved 213 nm (5HG) er oppnådd, henholdsvis.
    BBO er også en effektiv krystall for intrakavitet SHG av Nd:YAG-lasere med høy effekt.For intrakavitet SHG til en akusto-optisk Q-svitsjet Nd:YAG-laser ble mer enn 15 W gjennomsnittlig effekt ved 532 nm generert av en AR-belagt BBO-krystall.Når den pumpes av 600 mW SHG-utgangen til en moduslåst Nd:YLF-laser, ble 66 mW-effekt ved 263 nm produsert fra en Brewster-vinkelkuttet BBO i et eksternt forbedret resonanshulrom.
    BBO kan også brukes til EO-applikasjoner.BBO Pockels-celler eller EO Q-Switcher brukes til å endre polarisasjonstilstanden til lys som passerer gjennom det når en spenning påføres elektrodene til elektro-optiske krystaller som BBO.Beta-Barium Borat (β-BaB2O4, BBO) med karakteristiske brede transparens og fasetilpasningsområder, stor ikke-lineær koeffisient, høy skadeterskel og utmerket optisk homogenitet og elektro-optiske egenskaper gir attraktive muligheter for ulike ikke-lineære optiske applikasjoner og elektrooptiske applikasjoner.
    Funksjoner til BBO-krystaller:
    • Bredt fasetilpassbart område fra 409,6 nm til 3500 nm;
    • Bredt overføringsområde fra 190 nm til 3500 nm;
    • Stor effektiv koeffisient for andre harmoniske generasjon (SHG) omtrent 6 ganger større enn for KDP-krystall;
    • Høy skadeterskel;
    • Høy optisk homogenitet med δn ≈10-6/cm;
    • Bred temperaturbåndbredde på ca. 55 ℃.
    Viktig varsel:
    BBO har lav følsomhet for fuktighet.Brukere anbefales å sørge for tørre forhold for både påføring og konservering av BBO.
    BBO er relativt myk og krever derfor forholdsregler for å beskytte sine polerte overflater.
    Når vinkeljustering er nødvendig, husk at akseptvinkelen til BBO er liten.

    Dimensjonstoleranse (B±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(B±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1 mm) (L<2,5 mm)
    Klar blenderåpning sentral 90 % av diameteren Ingen synlige spredningsbaner eller sentre når inspisert av en 50mW grønn laser
    Flathet mindre enn L/8 @ 633nm
    Bølgefrontforvrengning mindre enn L/8 @ 633nm
    Chamfer ≤0,2 mm x 45°
    Chip ≤0,1 mm
    Skrape/grave bedre enn 10/5 til MIL-PRF-13830B
    Parallellisme ≤20 buesekunder
    Vinkelretthet ≤5 bueminutter
    Vinkeltoleranse ≤0,25
    Skadeterskel[GW/cm2] >1 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (kun polert)>0,5 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-belagt)>0,3 for 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-belagt)
    Grunnleggende egenskaper
    Krystallstruktur Trigonal,Space Group R3c
    Gitterparameter a=b=12,532Å,c=12,717Å,Z=6
    Smeltepunkt Ca 1095 ℃
    Mohs hardhet 4
    Tetthet 3,85 g/cm3
    Termiske ekspansjonskoeffisienter a11=4 x 10-6/K;α33=36x 10-6/K
    Termiske konduktivitetskoeffisienter ⊥c: 1,2W/m/K;//c: 1,6W/m/K
    Gjennomsiktighetsområde 190-3500nm
    SHG Phase Matchable Range 409,6-3500 nm (Type I) 525-3500nm (Type II)
    Termisk-optiske koeffisienter (/℃) dno/dT=-16,6x 10-6/℃
    dne/dT=-9,3x 10-6/℃
    Absorpsjonskoeffisienter <0,1 %/cm (ved 1064 nm) <1 %/cm (ved 532 nm)
    Vinkel Aksept 0,8 mrad·cm (θ, Type I, 1064 SHG)
    1,27 mrad·cm (θ, Type II, 1064 SHG)
    Temperatur aksept 55℃·cm
    Spektral aksept 1,1 nm·cm
    Walk-off vinkel 2,7° (Type I 1064 SHG)
    3,2° (Type II 1064 SHG)
    NLO koeffisienter deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ- d22 sin3Φ) cosθq
    deff (II)= (d11 sin3Φ + d22 cos3Φ) cos2θ
    Ikke-forsvunne NLO-følsomheter d11 = 5,8 x d36(KDP)
    d31 = 0,05 x d11
    d22 < 0,05 x d11
    Sellmeier-ligninger
    (λ i μm)
    no2=2,7359+0,01878/(λ2-0,01822)-0,01354λ2
    ne2=2,3753+0,01224/(λ2-0,01667)-0,01516λ2
    Elektrooptiske koeffisienter γ22 = 2,7 pm/V
    Halvbølgespenning 7 KV (ved 1064 nm, 3x3x20mm3)

    Modell Produkt Størrelse Orientering Flate Monter Mengde
    DE0998 BBO 10*10*1 mm θ=29,2° Pcoating@800+400nm Umontert 1
    DE1012 BBO 10*10*0,5 mm θ=29,2° Pcoating@800+400nm φ25,4 mm 1
    DE1132 BBO 7*6,5*8,5 mm θ=22°type1 S1:Pcoating@532nm
    S2:Pcoating@1350nm
    Umontert 1
    DE1156 BBO 10*10*0,1 mm θ=29,2° Pcoating@800+400nm φ25,4 mm 1